IRL540, SiHL540
Vishay Siliconix
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
5V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Safe Operating Area
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 91300
S11-0519-Rev. B, 21-Mar-11
www.vishay.com
5
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IRL540L 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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